Gepost door Jeroen Vreuls op zaterdag 26 mei 2012
Bij deze spanning begint de FET te geleiden. Hieronder doet ie in principe nauwelijks wat (sper, niet geleiden).
Let op: Dit is nog niet de spanning waarbij hij maximaal geleidt!
Het wordt voor de fabrikanten steeds makkelijker om MOSFET's te maken waarbij deze spanning laag is.
Dit is één van de allerbelangrijkste parameters. Zodra de MOSFET in geleiding is, gedraagt hij zich als een weerstand. Er zijn MOSFET's verkrijgbaar met een RDS(ON) van onder de milliohm. De wat oudere MOSFET's hebben soms wel een weerstand van één Ohm. Dat klinkt veel als je bedenkt dat je ook 0,1 Ω, 0,01 Ω en 0,001 Ω kan krijgen. Maar je moet je bedenken dat er dan (even) 12 A gaat lopen als je deze bijvoorbeeld zou gebruiken om de gate van een MOSFET van 0 V naar 12 V te trekken. Dan is 1 Ω nog helemaal niet zo slecht.
De maximum spanning die de MOSFET kan verdragen. De fabrikanten nemen niet veel marge met deze parameter. Als ze 30 V specificeren dan moet je niet denken dat 35 V ook nog wel zal gaan.
Bij deze spanning gaat de MOSFET doorslaan. Ondanks dat er geen spanning op de gate staat, gaat bij deze spanning de MOSFET geleiden. Doordat er stroom loopt en een spanning over de MOSFET staat, komt hierbij (een groot) vermogen vrij in de MOSFET. De MOSFET gaat kapot van de hitte die hierbij ontstaat. Enerzijds biedt dat wat "tolerantie", maar anderzijds kan het toch ook binnen 1 ms echt gebeurd zijn met je dure MOSFET.
Omdat het om de warmte gaat die hierbij vrijkomt, specificeren fabrikanten tegenwoordig hoeveel energie er in zo'n gebeurtenis mag zitten: zie avalanche energy hieronder.
De maximum spanning van de gate tegenover de source. Deze is vaak +/- 20 V. Bij oudere modellen wel eens wat meer, bij modernere FET's ook wel eens minder.
Als je hier overheen gaat, slaat de isolatie tussen de gate en de rest van de FET door en is ie kapot.
Als je de gate met maximaal 20 mA kan laden en ontladen (bijvoorbeeld direct uit de microcontroller) dan kan je hiermee uitrekenen hoe lang het duurt totdat je MOSFET volledig (of "voldoende") opengestuurd is.
Dit heeft te maken met de VDS max in een eerdere paragraaf. Zoveel energie mag er in 1x in de MOSFET gedumpt worden zonder dat ie kapot gaat. Deze parameter werd vroeger nauwelijks gespecificeerd. Je overschrijdt de maximum spanning en als ie kapot gaat: eigen schuld. Tegenwoordig zijn de fabrikanten er achter gekomen dat als je deze parameter weet, je bijvoorbeeld minder of goedkopere beschermingsdiodes kan gebruiken waardoor het overall ontwerp weer goedkoper kan worden.