Op 7 september 2019 13:10:00 schreef Waters:
Ik kom niet wijs uit de spec.
Hoe kan ik meer dan 4 Watt dissiperen ?
Notitie "f" zegt dat het "steady state" in de orde van 65 graden per watt is. Dan wordt meer dan 1.5W al tricky! (100 graden opwarming is veel, maar zou ie tegen moeten komen, dus met "4W" en 23 graden per W, klopt dat wel. Totdat ik dacht: wacht. Dat is veel meer dan ik ZELF zou verwachten/goedvinden... )
D'r zijn een aantal mensen die al roepen dat het beter wordt als je een groot PCB vlak maakt en dat soort dingen. Dat vind ik wat "kort door de bocht": De specs in het datasheet gaan er al van uit dat je een groot (25mmx25mm !) koelvlak er aan hebt zitten.
Als het KAN zou ik ontwerpen op minder dan 1W per mosfet. Klaar!
Maar volgens mij KAN dat niet met het gekozen ontwerp, daar is dissipatie in de FET gewoon essentieel. Als ik dat aanneem....
1) Bestel je PCB met "dubbel koper". 2oz. Of ook wel 70µm.
2) Maak een groot vlak aan de drain van je mosfet.
3) Maak een hele hoop kleine vias (werkt beter dan minder, grotere) naar de andere kant.
4) doe daar een siliconen heat-pad.
5) en een koelvin/koeler.
edit: Oh, en als je beter wilt kunnen koelen, dan kan je natuurlijk ook voor to220 of to247 gaan. Die kan je gewoon relatief lomp op een koelvlak schroeven.